SK hynix и Sandisk запускают рабочую группу OCP для стандартизации высокоскоростной флэш-памяти.

от

High-Bandwidth Flash стремится преодолеть ограничения ёмкости HBM, Sandisk заявляет о целевом показателе 1.6 ТБ/с для Gen1.

SK hynix и Sandisk сотрудничают в рамках проекта Open Compute для создания стандарта для высокоскоростной флэш-памяти (HBF). HBF разработан как новый тип памяти, специально предназначенный для обработки AI, предлагающий большую емкость хранения, чем HBM, но более быстрый доступ, чем у традиционных SSD.

Пока крипто-инвесторы ловят иксы и ликвидации, мы тут скучно изучаем отчетность и ждем дивиденды. Если тебе близка эта скука, добро пожаловать.

Купить акции "голубых фишек"

Sandisk опубликовала больше информации о своей новой технологии слоев памяти. Они описывают её как построенную на NAND флэш-памяти и полагают, что она может хранить в восемь-шестнадцать раз больше данных, чем High Bandwidth Memory (HBM), сохраняя при этом сравнимую скорость и стоимость в типичной системе.

SanDisk заявляет, что его первоначальное оборудование может достигать скоростей чтения до 1,6 терабайт в секунду. Каждый чип (die) имеет ёмкость 256 гигабайт, а стопка из 16 чипов может достигать общей ёмкости 512 гигабайт. Конструкция этих стопок схожа по размеру, энергопотреблению и высоте с предстоящим стандартом HBM4, что позволяет предположить, что их можно легко интегрировать в AI-ускорители, такие как текущая технология HBM.

Sandisk утверждает, что их технология HBF показала производительность в пределах 2,2% от производительности высокоскоростной памяти (HBM) в их тестах и симуляциях. Эти тесты использовали общую AI-модель – 8-битную версию Llama 3 с 405 миллиардами параметров. Важно отметить, что сравнение предполагает, что HBM имеет неограниченное хранилище, поэтому оно не измеряет напрямую, какая технология может хранить больше данных – только то, как быстро они работают.

Sandisk интегрирует свою технологию HBF со своей передовой разработкой BiCS NAND флэш-памяти и своим инновационным методом CBA (CMOS, непосредственно соединенный с массивом). Они также используют уникальную технологию 3D-стекирования для создания чипов памяти с 16 слоями, что повышает долговечность и управление теплом. В отличие от DRAM, HBF является энергонезависимой памятью, что означает, что она сохраняет данные даже при отсутствии питания и не требует постоянного питания для обновления хранящейся в ней информации.

HBF Gen2 и Gen3

Sandisk планирует будущее развитие технологий хранения данных, стремясь к скоростям чтения, превышающим 2 ТБ/с для своих продуктов Gen2 и 3.2 ТБ/с для Gen3. Эти поколения также могут предложить объемы хранения до 1 ТБ и 1.5 ТБ соответственно, потребляя при этом меньше энергии – 0.8 и 0.64 раза от мощности их предыдущего поколения. Хотя ни Sandisk, ни SK hynix не объявили о сроках доступности этих технологий, они сосредоточены на установлении отраслевых стандартов через организацию OCP.

Смотрите также

2026-02-26 12:19